AD2N60S
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.4Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34W(Tc) 类型:N沟道
AD2N60S的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻4.4Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)34W(Tc)
类型N沟道
AD2N60S
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AD2N60S | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.4Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34W(Tc) 类型:N沟道 | AnBon(台湾安邦) |  | 1.71 Mbytes | 共8页 |  | 无 |
AD2N60S的全球分销商及价格
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 立创商城 | AD2N60S | AnBon(台湾安邦) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.4Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.249 10+:¥0.9391 30+:¥0.8822 100+:¥0.8253 500+:¥0.8 1000+:¥0.7875
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