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A2P75S12M3 /IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
A2P75S12M3的规格信息
A2P75S12M3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

技术:Si

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Sixpack

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:1.95 V

在25 C的连续集电极电流:75 A

栅极—射极漏泄电流:500 nA

Pd-功率耗散:454.5 W

封装 / 箱体:ACEPACK2

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:A2P75S12M3

商标:STMicroelectronics

安装风格:Through Hole

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:18

子类别:IGBTs

商标名:ACEPACK

供应商A2P75S12M3
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A2P75S12M3STMicroelectronicsIGBT MOD 1200V 75A ACEPACK2$64.22000
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A2P75S12M3STMicroelectronicsIGBT 模块 ACEPACK 2 sixpack topology, 1200 V, 75 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC1:¥465.2662
5:¥454.8137
10:¥437.0614
25:¥422.9251
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Mouser 贸泽电子
A2P75S12M3-FSTMicroelectronicsIGBT 模块 ACEPACK 2 sixpack topology, 1200 V, 75 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC1:¥471.6394
5:¥461.04
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