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A2C25S12M3 /IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
A2C25S12M3的规格信息
A2C25S12M3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

技术:Si

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Converter Inverter Brake

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:1.95 V

在25 C的连续集电极电流:25 A

栅极—射极漏泄电流:500 nA

Pd-功率耗散:197 W

封装 / 箱体:ACEPACK2

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:A2C25S12M3

商标:STMicroelectronics

安装风格:Through Hole

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:18

子类别:IGBTs

商标名:ACEPACK

供应商A2C25S12M3
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A2C25S12M3-FSTMicroelectronicsIGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK2$55.02000
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Mouser 贸泽电子
A2C25S12M3STMicroelectronicsIGBT 模块 ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC1:¥389.1946
5:¥380.5162
10:¥363.1481
25:¥347.927
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Mouser 贸泽电子
A2C25S12M3-FSTMicroelectronicsIGBT 模块 ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC1:¥398.8787
5:¥390.0421
10:¥372.2107
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