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A1P35S12M3-F /IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
A1P35S12M3-F的规格信息
A1P35S12M3-F的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

技术:Si

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Sixpack

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:1.95 V

在25 C的连续集电极电流:35 A

栅极—射极漏泄电流:500 nA

Pd-功率耗散:250 W

封装 / 箱体:ACEPACK1

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:A1P35S12M3-F

商标:STMicroelectronics

安装风格:Press Fit

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:18

子类别:IGBTs

商标名:ACEPACK

供应商A1P35S12M3-F
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A1P35S12M3-FSTMicroelectronicsIGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK1$42.69000
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A1P35S12M3-FSTMicroelectronicsIGBT 模块 ACEPACK1 sixpack topology, 1200 V, 35 A trench-gate field stop IGBT M series, soft diode and NTC1:¥309.4392
5:¥302.5236
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