包装管件

系列HEXFET®

零件状态停產

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）140A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）6 毫欧 @ 71A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）140nC @ 4.5V

Vgs（最大值）±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）5000pF @ 25V

FET 功能-

功率耗散（最大值）3.8W（Ta），200W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-262

封装/外壳TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA