包装管件

系列HEXFET®

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5A（Ta）

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）60 毫欧 @ 2.7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）50nC @ 10V

Vgs（最大值）50nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）930pF @ 25V

FET 功能-

功率耗散（最大值）-

工作温度-

安装类型表面贴装型

供应商器件封装8-SO

封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）