包装剪切带（CT）

系列HEXFET®

零件状态停產

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）12A（Ta），49A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，7V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）11.5 毫欧 @ 12A，7V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）26nC @ 4.5V

Vgs（最大值）±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2270pF @ 15V

FET 功能-

功率耗散（最大值）2.3W（Ta），42W（Tc）

工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装DIRECTFET™ MQ

封装/外壳DirectFET™ 等容 MQ