80N10的供应商，80N10规格参数，80N10的PDF资料

80N10 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W(Tc) 类型：N沟道

80N10的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）100V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）100A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻8.5mΩ @ 30A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）250W(Tc)

类型N沟道

80N10

80N10的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	80N10	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	80N10-VB	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	80N10	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	80N10L	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
深圳市坤融电子有限公司	80N10L	航都大厦10I	0755-23990975 17318082080，13510287235	肖瑶，树平	询价
深圳市芯幂科技有限公司	80N10	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	80N10	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	80N10F7 TO252-VB	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	80N10	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市微碧半导体有限公司	80N10F7 F-VB	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
万三科技（深圳）有限公司	80N10	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价
深圳市威雅利发展有限公司	80N10L	华强北路1019号华强广场A16楼	18124047120 18124047120	韩雪	询价

80N10及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
80N10	N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	974.83 Kbytes	共7页	无
80N10F7	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	966.73 Kbytes	共7页	无
80N10L	N-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1920.16 Kbytes	共7页	无

80N10的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	80N10	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥4.31 10+:￥3.18 30+:￥2.97 100+:￥2.484 500+:￥2.403 1000+:￥2.358

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