8070.0
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):88A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
8070.0的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)88A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻11mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)-
类型N沟道
8070.0
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 立创商城 | 8070.0 | GOFORD(谷峰) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):88A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 | 1+:¥3.27 10+:¥2.42 30+:¥2.26 100+:¥2.1 500+:¥2.03 1000+:¥2
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