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75N75L-TA3-T /连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):75V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W 类型:N沟道
75N75L-TA3-T的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)75V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻11mΩ @ 40A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)300W

类型N沟道

供应商75N75L-TA3-T
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75N75L-TA3-TUTC(友顺)连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):75V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300W 类型:N沟道1+:¥5.62
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30+:¥3.93
100+:¥3.67