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6616A /连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 漏源电压(Vdss):18V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 9A,4.5V;27mΩ @ 6.2A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:双P沟道
6616A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)18V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)16A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻21mΩ @ 9A,4.5V;27mΩ @ 6.2A,2.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)3W

类型双P沟道

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6616AGOFORD(谷峰)连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 漏源电压(Vdss):18V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 9A,4.5V;27mΩ @ 6.2A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:双P沟道1+:¥1.7275
10+:¥1.2777
30+:¥1.195
100+:¥1.1124
500+:¥1.0757
1000+:¥1.0575