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商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)18V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)16A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻21mΩ @ 9A,4.5V;27mΩ @ 6.2A,2.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)3W
类型双P沟道