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630A-251 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道
630A-251的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)200V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)9A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻250mΩ @ 4.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)83W(Tc)

类型N沟道

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630A-251GOFORD(谷峰)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.5713
10+:¥1.1815
30+:¥1.1098
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