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630A-251 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道

630A-251的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）200V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）9A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻250mΩ @ 4.5A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）83W(Tc)

类型N沟道

630A-251

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立创商城	630A-251	GOFORD(谷峰)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥1.5713 10+:￥1.1815 30+:￥1.1098 100+:￥1.0382 500+:￥1.0064 1000+:￥0.9907

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