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60N06 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):85W(Tc) 类型:N沟道
60N06的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)60A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻20mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)85W(Tc)

类型N沟道

供应商60N06
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深圳市宇浩扬科技有限公司60N06深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市微碧半导体有限公司60N06 TO220-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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60N06G-TQ2-R60A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET UTC[Unisonic Technologies]UTC[Unisonic Technologies]的LOGO316.43 Kbytes共8页60N06G-TQ2-R的PDF下载地址
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60N06GOFORD(谷峰)连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):85W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.3219
10+:¥0.977
30+:¥0.9137
100+:¥0.8503
500+:¥0.8222
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60N06L-TA3-TUTC(友顺)连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.54
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