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50N06G /连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:17.5mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道
50N06G的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻17.5mΩ @ 25A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)100W(Tc)

类型N沟道

供应商50N06G
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50N06G连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:17.5mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道PINGWEI(平伟)PINGWEI(平伟)的LOGO521.22 Kbytes共9页50N06G的PDF下载地址无
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50N06GPINGWEI(平伟)连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:17.5mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.39
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