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4N38VM /晶体管输出光电耦合器 6PW HVCEO TR DIP VDE
4N38VM的规格信息
4N38VM的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:晶体管输出光电耦合器

RoHS:

封装 / 箱体:DIP-6

输出类型:NPN Phototransistor

通道数量:1 Channel

If - 正向电流:10 mA

最大集电极/发射极电压:80 V

最大集电极电流:100 mA

绝缘电压:7500 Vrms

最大集电极/发射极饱和电压:1 V

Vf - 正向电压:1.5 V

Vr - 反向电压 :6 V

Pd-功率耗散:300 mW

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 100 C

系列:4N38M

封装:Bulk

配置:1 Channel

高度:3.53 mm

长度:8.89 mm

宽度:6.6 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

集电极—射极击穿电压:80 V

安装风格:Through Hole

电流传递比:20 %

产品类型:Transistor Output Optocouplers

工厂包装数量:1000

子类别:Optocouplers

单位重量:855 mg

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Mouser 贸泽电子
4N38VMFairchild Semiconductor1+:¥5.6899
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