4N100L-TF1-T
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):1000V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):38W 类型:N沟道
4N100L-TF1-T的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)1000V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A
栅源极阈值电压5V @ 250uA
漏源导通电阻3.5Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)38W
类型N沟道
4N100L-TF1-T
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4N100L-TF1-T | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):1000V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):38W 类型:N沟道 | UTC(友顺) |  | 205.47 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | 4N100L-TF1-T | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):1000V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):38W 类型:N沟道 | 1+:¥3.83 10+:¥2.78 30+:¥2.58 100+:¥2.39 500+:¥2.31 1000+:¥2.26
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