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475-501N44A-00 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-475 44A 500V N Channel MOSFET

475-501N44A-00的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:IXYS

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:48 A

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Rds On-漏源导通电阻:130 mOhms

输出功率:1.8 kW

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SMD-6

封装:Tube

工作频率:30 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:IXYS

正向跨导 - 最小值:14 S

通道数量:1 Channel

产品类型:RF MOSFET Transistors

Qg-栅极电荷:155 nC

工厂包装数量:20

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

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深圳市鑫晟源电子科技有限公司	475-501N44A-00	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C	实-单-专-线V+18938047708 18938047708/18938048779	林炜东，林俊源	询价
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475-501N44A-00	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-475 44A 500V N Channel MOSFET			141.60 Kbytes	共5页		无
475-501N44A-00	RF MOSFET N-CHANNEL DE475	IXYS-RF		140.84 Kbytes	共5页		无

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Digi-Key 得捷电子	475-501N44A-00	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL DE475	Obsolete
Mouser 贸泽电子	475-501N44A-00		射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-475 44A 500V N Channel MOSFET	1:￥437.988 10:￥409.5572 25:￥373.9848 100:￥355.0799

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