40N15L-TA3-T
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:3.8V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W 类型:N沟道
40N15L-TA3-T的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)40A
栅源极阈值电压3.8V @ 250uA
漏源导通电阻50mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)166W
类型N沟道
40N15L-TA3-T
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40N15L-TA3-T | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:3.8V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W 类型:N沟道 | UTC(友顺) |  | 169.62 Kbytes | 共3页 |  | 无 |
40N15L-TA3-T的全球分销商及价格
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 立创商城 | 40N15L-TA3-T | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):40A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:3.8V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W 类型:N沟道 | 1+:¥5.38 10+:¥4.02 30+:¥3.77 100+:¥3.52
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