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3DD13003B /集电极电流Ic：1.5A 额定功率：900mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：400V
3DD13003B的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型三极管

额定功率900mW

集电极电流Ic1.5A

集射极击穿电压Vce400V

晶体管类型NPN

供应商3DD13003B
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3DD13003BNPN Plastic-Encapsulated Elektronische Bauelemente Transistor SECOS[SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]SECOS[SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]的LOGO523.45 Kbytes共2页3DD13003B的PDF下载地址无
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立创商城		3DD13003BCJ（江苏长电/长晶）集电极电流Ic：1.5A 额定功率：900mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：400V10+:￥0.402884
100+:￥0.302924
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