制造商:IXYS

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:30 A

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms

输出功率:940 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DE-375-6

封装:Tube

工作频率:50 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:IXYS

正向跨导 - 最小值:14.5 S

通道数量:1 Channel

Pd-功率耗散:4.5 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

Qg-栅极电荷:59 nC

工厂包装数量:25

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:15 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V