通道类型N

最大连续漏极电流1.5 A

最大漏源电压60 V

最大漏源电阻值550 m0hms

最大栅阈值电压2V

最大栅源电压-20 V、+20 V

封装类型TO-92

安装类型通孔

引脚数目3

晶体管配置单

通道模式增强

类别功率 MOSFET

最大功率耗散900 mW

长度4.8mm

高度8mm

尺寸4.8 x 3.8 x 8mm

晶体管材料Si

最高工作温度+150 °C

典型关断延迟时间50 ns

典型接通延迟时间3 ns

宽度3.8mm

每片芯片元件数目1

典型输入电容值@Vds140 pF@ 10 V

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs