标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：JFET（结点场效应

系列：-

包装：散装

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：-

漏源极电压（Vdss）：40V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：2.5mA @ 10V

漏极电流（Id） - 最大值：20mA

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：9pF @ 10V

电阻 - RDS（开）：-

安装类型：通孔

封装/外壳：3-SIP

供应商器件封装：3-SPA

功率 - 最大值：300mW

其它名称：869-1018