数据列表：2SD22200RA View all Specifications

标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 单路

系列：-

包装：带盒（TB）

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：1A

电压 - 集射极击穿（最大值）：80V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：1.8V @ 1mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）：-

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：8000 @ 1A，10V

功率 - 最大值：1.5W

频率 - 跃迁：150MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：3-SIP

供应商器件封装：MT-3-A1

其它名称：2SD2220-R(TA)2SD22200RATB