数据列表：2SD2136 View all Specifications

标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 单路

系列：-

包装：带盒（TB）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：60V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：1.2V @ 375mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：300µA

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：70 @ 1A，4V

功率 - 最大值：1.5W

频率 - 跃迁：220MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：3-SIP

供应商器件封装：MT-3-A1

其它名称：2SD2136-Q(TA)2SD21360QATB