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2SD1628G-TD-E /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 20V
2SD1628G-TD-E的规格信息
2SD1628G-TD-E的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PCP-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V

集电极—基极电压 VCBO:60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

集电极—射极饱和电压:500 mV

最大直流电集电极电流:8 A

增益带宽产品fT:120 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:2SD1628

直流电流增益 hFE 最大值:560 at 500 mA, 2 V

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:ON Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:120

Pd-功率耗散:1.5 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:Transistors

单位重量:51.670 mg

供应商2SD1628G-TD-E
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