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2SD12770P /Panasonic Electronic Components/分立半导体产品
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:2SD12770P View all Specifications

标准包装:100

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路

系列:-

包装:散装

晶体管类型:NPN - 达林顿

电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A

电压 - 集射极击穿(最大值):60V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 8mA,4A

电流 - 集电极截止(最大值):-

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):4000 @ 4A,3V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:20MHz

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3 整包

供应商器件封装:TO-220F-A1

供应商2SD12770P
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