数据列表：2SD0814A View all Specifications
标准包装：3,000
类别：分立半导体产品
家庭：晶体管（BJT） - 单路
系列：-
包装：带卷（TR）
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：50mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：185V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：1V @ 3mA，30mA
电流 - 集电极截止（最大值）：-
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：130 @ 10mA，5V
功率 - 最大值：200mW
频率 - 跃迁：150MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：迷你型3-G1
其它名称：2SD0814ARLTR2SD814A-R(TX)