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2SC5755(TE85L,F) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A

电压 - 集射极击穿(最大值):10V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):120mV @ 12mA,600mA

电流 - 集电极截止(最大值):-

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):400 @ 200mA,2V

功率 - 最大值:500mW

频率 - 跃迁:-

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:TSM

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