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2SC4226-T1 /集电极电流Ic:100mA 额定功率:150mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:12V
2SC4226-T1的规格信息
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商品类型三极管

额定功率150mW

集电极电流Ic100mA

集射极击穿电压Vce12V

晶体管类型NPN

供应商2SC4226-T1
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2SC4226-T1NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO149.56 Kbytes共8页2SC4226-T1的PDF下载地址
2SC4226-T1-ANPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO149.56 Kbytes共8页2SC4226-T1-A的PDF下载地址
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2SC4226-T1-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)SILICON AMPLIFIER AND OSCILLATOR TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT - Tape and Reel3,000 : $0.3981
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2SC4226-T1NEC(日电电子)集电极电流Ic:100mA 额定功率:150mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:12V10+:¥0.340327
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