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2SC2979 /Silicon NPN Power Transistors
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安装类型通孔

封装类型TO-220AB

引脚数目3

晶体管类型NPN

最大功率耗散40 W

最大发射极-基极电压7 V

最大基极-发射极饱和电压1.5 V

最大直流集电极电流3 A

最大集电极-发射极电压800 V

最大集电极-发射极饱和电压1 V

最大集电极-基极电压900 V

最小直流电流增益7 V

最高工作温度+150 °C

每片芯片元件数目1

类别高电压

配置

供应商2SC2979
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