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2SC2235-O(TE6,F,M) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
2SC2235-O(TE6,F,M)的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 单路

系列：-

包装：带盒（TB）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：800mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：120V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：1V @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：-

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：80 @ 100mA，5V

功率 - 最大值：900mW

频率 - 跃迁：120MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体

供应商器件封装：LSTM

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