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2SB817C-1E /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 12A 140V
2SB817C-1E的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:Through Hole

晶体管极性:PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO:140 V

集电极—基极电压 VCBO:160 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

集电极—射极饱和电压:2 V

最大直流电集电极电流:12 A

系列:2SB817C

直流电流增益 hFE 最大值:200 A

封装:Tube

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:12 A

Pd-功率耗散:120 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:30

子类别:Transistors

单位重量:5.800 g

供应商2SB817C-1E
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