数据列表：2SB14350RA View all Specifications
标准包装：1,000
类别：分立半导体产品
家庭：晶体管（BJT） - 单路
系列：-
包装：带盒（TB）
晶体管类型：PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：2A
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 50mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：-
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：120 @ 200mA，2V
功率 - 最大值：1.5W
频率 - 跃迁：80MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：3-SIP
供应商器件封装：MT-3-A1
其它名称：2SB14350RATB