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2SB1260T100Q /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80V 1A SO-89
2SB1260T100Q的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 80 V

集电极—基极电压 VCBO:- 80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V

最大直流电集电极电流:1 A

增益带宽产品fT:100 MHz

最大工作温度:+ 150 C

系列:2SB1260

直流电流增益 hFE 最大值:390

高度:1.5 mm

长度:4.5 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:2.5 mm

商标:ROHM Semiconductor

集电极连续电流:- 1 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:82

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:Transistors

单位重量:130.500 mg

供应商2SB1260T100Q
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2SB1260T100QROHM Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT PNP 80V 1A SO-891000+:¥1.32
2000+:¥1.2
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2SB1260T100QROHM SemiconductorTRANS PNP 80V 1A SO-891 : $0.48
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2SB1260T100QROHM Semiconductor2SB1260 Series 80 V 1 A Surface Mount PNP Power Transistor - SC-62
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Mouser 贸泽电子
2SB1260T100QROHM Semiconductor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80V 1A SO-891:¥3.616
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2SB1260T100QROHM SemiconductorPNP TRANS.80V HFE120-270 MPT3 RoHSconf价格未公开
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2SB1260T100QROHM(罗姆)集电极电流Ic:1A 额定功率:2W 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:80V1+:¥1.1168
10+:¥0.8459
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