数据列表：2SB1219 View All Specifications

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 单路

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：25V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：600mV @ 30mA，300mA

电流 - 集电极截止（最大值）：-

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：120 @ 150mA，10V

功率 - 最大值：150mW

频率 - 跃迁：200MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-70，SOT-323

供应商器件封装：S迷你型3-G1

其它名称：2SB1219-R(TX)2SB12190RLTR2SB1219RTR2SB1219RTR-ND2SB1219RTX