制造商:Toshiba
产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:是
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-3P-3
晶体管极性:PNP
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:200 V
集电极—基极电压 VCBO:200 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
最大直流电集电极电流:12 A
增益带宽产品fT:25 MHz
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
系列:2SA2120
高度:19 mm
长度:15.9 mm
宽度:4.8 mm
商标:Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min:80 at 1 A, 5 V
Pd-功率耗散:200000 mW
产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:50
子类别:Transistors
单位重量:6.756 g