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2SA1669-TB-E /SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation/分立半导体产品
2SA1669-TB-E的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:RF 晶体管(BJT)

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:PNP

电压 - 集射极击穿(最大值):15V

频率 - 跃迁:3GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):2dB @ 900MHz

增益:5dB

功率 - 最大值:250mW

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):15 @ 5mA,10V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:3-CP

其它名称:869-1100-2

供应商2SA1669-TB-E
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