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2SA1182-O(TE85L,F) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
2SA1182-O(TE85L,F)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:2SA1182 -

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):30V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 100mA,1V

功率 - 最大值:150mW

频率 - 跃迁:200MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:S-Mini

其它名称:2SA1182-O(TE85LF)TR

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