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2SA1084ETZ-E /Renesas Electronics America/分立半导体产品
2SA1084ETZ-E的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路

系列:-

包装:带盒(TB)

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):90V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):200mV @ 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):-

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):400 @ 2mA,12V

功率 - 最大值:400mW

频率 - 跃迁:90MHz

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3短身定形引线

供应商器件封装:TO-92-3

供应商2SA1084ETZ-E
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2SA1084ETZ-ESilicon PNP Epitaxial RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO175.96 Kbytes共6页2SA1084ETZ-E的PDF下载地址2SB0873,2SA1020_05,FJY4013R,FJC790_05,2SB1197,HIT562,7MP05SF,2SA2196,BC318C,MPS2907
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