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2SA1015G /集电极电流Ic：150mA 额定功率：400mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：50V
2SA1015G的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型三极管

额定功率400mW

集电极电流Ic150mA

集射极击穿电压Vce50V

晶体管类型PNP

供应商2SA1015G
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2SA1015GRPNP SILICON TRANSISTOR MICRO-ELECTRONICS[Micro Electronics]MICRO-ELECTRONICS[Micro Electronics]的LOGO73.45 Kbytes共1页2SA1015GR的PDF下载地址MMBR4957LT1,2SA1226,2SA1977,2SB804,NTE2314,NTE395,MMUN2111LT1,UN4111,XN1118,XN4482
2SA1015G-X-T92-BLOW FREQUENCY PNP AMPLIFIER TRANSISTOR UTC[Unisonic Technologies]UTC[Unisonic Technologies]的LOGO143.93 Kbytes共4页2SA1015G-X-T92-B的PDF下载地址无
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立创商城		2SA1015GST(先科)集电极电流Ic：150mA 额定功率：400mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：50V50+:￥0.071753
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