2P50G-TN3-R
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):-500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41W 类型:P沟道
2P50G-TN3-R的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-500V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻8.5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)41W
类型P沟道
2P50G-TN3-R
2P50G-TN3-R及相关型号的PDF资料
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2P50G-TN3-R | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):-500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41W 类型:P沟道 | UTC(友顺) |  | 477.98 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
2P50G-TN3-R的全球分销商及价格
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 立创商城 | 2P50G-TN3-R | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):-500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):41W 类型:P沟道 | 1+:¥1.2358 10+:¥0.911 30+:¥0.8513 100+:¥0.7916 500+:¥0.7651 1000+:¥0.752
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