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2N6432 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200Vcbo 200Vceo 6.0Vebo 100mA 500mW
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制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-18

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:200 V

集电极—基极电压 VCBO:200 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:0.5 V

增益带宽产品fT:50 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

封装:Bulk

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:100 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:25 at 1 mA, 10 V

Pd-功率耗散:500 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2000

子类别:Transistors

零件号别名:2N6432 PBFREE

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2N6432Central Semiconductor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200Vcbo 200Vceo 6.0Vebo 100mA 500mW2,000:¥12.9837
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