制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-66-2

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V

集电极—基极电压 VCBO:80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:2 V

最大直流电集电极电流:15 A

增益带宽产品fT:4 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

系列:2N6318

直流电流增益 hFE 最大值:100 at 2.5 A, 4 V

封装:Tube

商标:Central Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:20 at 500 mA, 4 V

Pd-功率耗散:90 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:30

子类别:Transistors

零件号别名:2N6318 PBFREE