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2N5819 /
2N5819的规格信息
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产品种类Transistors Bipolar (BJT)

晶体管极性PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO40 V

发射极 - 基极电压 VEBO- 5 V

最大直流电集电极电流0.75 A

直流集电极/Base Gain hfe Min150 at 2 mA at 2 V

最大工作频率135 MHz

最大工作温度+ 150 C

安装风格Through Hole

封装 / 箱体TO-92

封装Box

最小工作温度- 65 C

功率耗散625 mW

工厂包装数量2000

供应商2N5819
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2N5819COMPLEMENTARY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR MICRO-ELECTRONICS[Micro Electronics]MICRO-ELECTRONICS[Micro Electronics]的LOGO162.69 Kbytes共2页2N5819的PDF下载地址NTE38,CJD41C,BCP68T1,BCP68,BSR33,FMMT493A,FZT1047A,FZT600,FZT790A,ZTX1151A
2N5819BJTS, SI PNP LO-PWR NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]的LOGO92.03 Kbytes共1页2N5819的PDF下载地址
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