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2N5770 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN RF Amp/Osc
2N5770的规格信息
2N5770的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V

集电极—基极电压 VCBO:30 V

发射极 - 基极电压 VEBO:3 V

集电极—射极饱和电压:0.4 V

最大直流电集电极电流:0.05 A

增益带宽产品fT:900 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:2N5770

高度:5.33 mm

长度:5.21 mm

封装:Bulk

宽度:4.19 mm

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:50 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:20

Pd-功率耗散:625 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

零件号别名:2N5770 PBFREE

单位重量:453.600 mg

供应商2N5770
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2N5770的全球分销商及价格
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2N5770Rochester Electronics LLC5770 NPN RF Amplifier 15V 0.05A 2N5770价格未公开
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Rochester Electronics
2N5770Fairchild Semiconductor CorporationN/A500 : $0.05
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