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2N5296 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60Vcbo 60Vcev 4.0A 50Vcer 40Vceo 36W
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V

集电极—基极电压 VCBO:60 V

集电极—射极饱和电压:1 V

增益带宽产品fT:0.8 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:2N5296

直流电流增益 hFE 最大值:120 at 1 A, 4 V

封装:Bulk

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:4 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:30 at 1 A, 4 V

Pd-功率耗散:36 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:400

子类别:Transistors

零件号别名:2N5296 PBFREE

供应商2N5296
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