产品种类Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO50 V
发射极 - 基极电压 VEBO4 V
最大直流电集电极电流0.05 A
直流集电极/Base Gain hfe Min200 at 100 uA at 5 V
配置Single
最大工作频率30 MHz
最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92-3 (TO-226)
封装Reel
最小工作温度- 55 C
功率耗散350 mW
工厂包装数量2000