FET 类型P 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）30V

漏源电压（Vdss）30V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）90mA @ 18V

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）10V @ 1nA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）25pF @ 15V

电阻 - RDS（开）75 Ohms

功率 - 最大值500mW

工作温度-65°C ~ 200°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳3-SMD，无引线

供应商器件封装UB

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs