图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:InterFET
产品种类:JFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-18-3
晶体管极性:P-Channel
配置:Single
Vgs-栅源极击穿电压 :25 V
Vgs=0时的漏-源电流:- 3.5 mA
Pd-功率耗散:500 mW
封装:Bulk
类型:JFET
商标:InterFET
正向跨导 - 最小值:1.5 mS
闸/源截止电压:2.5 V
工厂包装数量:1