产品种类Transistors Bipolar (BJT)

晶体管极性PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO40 V

发射极 - 基极电压 VEBO5 V

最大直流电集电极电流0.6 A

直流集电极/Base Gain hfe Min30 at 0.1 mA at 1 V

配置Single

最大工作频率200 MHz

最大工作温度+ 150 C

安装风格Through Hole

封装 / 箱体TO-92

最小工作温度- 55 C

功率耗散625 mW